6月30日，据外电报道，NAND Flash(闪存)制造厂制程技术持续不断推进，集邦科技表示，各Flash制造厂自今年第四季起将陆续转进30纳米制程技术。 

　　根据美光预估，今年全球NAND Flash市场可望增长至254亿美元规模，除了目前一般数字影音播放器、UFD(通用串行总线闪存储存驱动器)、记忆卡等应用外，也相当看好移动储存市场的发展潜力。 

　　为降低生产成本，强化竞争力，NAND Flash制造厂持续不断进行制程技术微缩，其中IM Flash阵营已宣示，34纳米制程技术将于今年第四季投产。韩国三星电子则预计，明年下半年制程技术将由42纳米推进至30纳米时代。 

　　Toshiba与SanDisk阵营同样预计，明年下半年由43纳米提升至30纳米时代制程技术；Hynix与Numonyx阵营则将于明年上半年由48那么提升到41纳米制程技术。